PROSES PHOTOLITHOGRAPHY DALAM FABRIKASI DIVAIS SEMIKONDUKTOR

Abstract

Photolithography merupakan tahapan proses dasar (basic) untuk pembuatan divais semikonduktor dengan teknologi mikroelektronika. Proses photolithography adalah proses pemindahan pola bentuk geometris pada masker ke lapisan tipis (beberapa mikron) dan bahan yang peka terhadap radiasi (photoresist). Pertama, photoresist biasanya dilapiskan dengan cara spin coating atau spray coating untuk melapisi permukaan wafer silikon. Kedua, didalam lithography sinar (radiasi) ultra violet (U.V.) digunakan untuk mengubah kelarutan photoresist ke dalam suatu pelarut. Photoresist positip menjadi lebih larut pada penyinaran dengan sinar u.v., sedangkan photoresist negatip menjadi lebih larut, setelah photoresist ini mengalami proses polimerisasi. Pembuatan divais semikonduktor dan rangkaian terintegrasi (IC) terdiri dari bermacam-macam lapisan melalui photolithography (pelindunglmasker) dengan tahapan proses seperti daerah oksidasi, difusi, gate, lubang kontak. atau metalisasi dengan setiap tahap memerlukan pelindung (masker). Tahap pelindung ini menentukan daerah dimana tahap proses berikutnya akan ditentukan. Jumlah semua tahapan proses itu akan menghasilkan divais dan rangkaian dengan sifat listrik yang spesifik.

Kata Kunci : Photolithography, photoresist positif dan negatif, divais semikonduktor.